在微電子封裝領(lǐng)域，微組裝技術(shù)因其微型化、高集成度和高可靠性的特點(diǎn)而備受關(guān)注。特別是在微波組件的制造過程中，金絲鍵合作為連接微電子器件的關(guān)鍵技術(shù)，其質(zhì)量直接決定了產(chǎn)品的可靠性和微波特性，對(duì)整個(gè)微波組件的性能起著至關(guān)重要的作用。因此，深入分析金絲鍵合工藝的影響因素，并優(yōu)化鍵合參數(shù)，對(duì)于提升微波組件的整體性能和可靠性具有重大意義。

本文科準(zhǔn)測(cè)控小編旨在探討金絲鍵合工藝中的關(guān)鍵影響因素，并通過實(shí)驗(yàn)研究來確定最佳的鍵合參數(shù)。通過對(duì)25μm金絲進(jìn)行的鍵合實(shí)驗(yàn)和拉力測(cè)試，我們收集了大量實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，并確保所有測(cè)量結(jié)果均符合軍標(biāo)GJB548B-2005的要求。這些數(shù)據(jù)不僅驗(yàn)證了金絲鍵合工藝的可靠性，而且為實(shí)際生產(chǎn)提供了寶貴的參考和指導(dǎo)。

一、金絲鍵合簡(jiǎn)介

鍵合是一種在接頭處施加壓力、機(jī)械振動(dòng)、電能或熱能等不同形式能量，以實(shí)現(xiàn)連接的方法，它屬于壓力焊接的范疇。在這一過程中，金屬本身不會(huì)熔化，但在連接界面之間會(huì)發(fā)生原子擴(kuò)散現(xiàn)象，表明連接面已經(jīng)達(dá)到了足以產(chǎn)生原子間結(jié)合力的接近程度。直接將未封裝的半導(dǎo)體裸芯片安裝到微波多芯片組件（MCM）的基板上，標(biāo)志著微組裝技術(shù)邁出了重要的一步。在裸芯片的互連過程中，鍵合技術(shù)是組裝MCM的核心環(huán)節(jié)。通過熱壓、超聲或熱超聲等技術(shù)，將鋁絲或金絲鍵合或點(diǎn)焊到裸芯片和基板的對(duì)應(yīng)焊盤上。

隨著技術(shù)要求的不斷提升，鋁絲鍵合的使用逐漸減少，金絲鍵合已經(jīng)成為微組裝技術(shù)中的一項(xiàng)關(guān)鍵工藝。熱超聲鍵合作為超聲波鍵合的一種衍生技術(shù)，通過增加熱能輸入，融合了熱壓和超聲的優(yōu)點(diǎn)，特別適合于18至100微米范圍的金絲。在本文的研究中，我們特別選擇了25微米的金絲，并采用熱超聲鍵合技術(shù)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)和分析。

二、金絲鍵合的分類

從鍵合工具及對(duì)引線端部的工藝處理不同可將金絲鍵 合 分 為 球 形 鍵 合 （ＢａｌｌＢｏｎｄ）和 楔 形 鍵 合（ＷｅｄｇｅＢｏｎｄ），如下圖所示。

球形鍵合過程中，劈刀產(chǎn)生電火花使金絲端部熔化形成球狀，球徑約為金絲直徑的2至3倍。隨后，劈刀下降將金球壓在焊盤上完成第一個(gè)焊點(diǎn)。劈刀移動(dòng)至第二點(diǎn)，以楔形方式完成第二個(gè)焊點(diǎn)，并通過扯線使金絲斷裂。接著，劈刀調(diào)整至適當(dāng)高度，準(zhǔn)備下一次鍵合循環(huán)。球形鍵合適用于360°任意角度焊接，通常使用直徑75μm以下的金絲，適用于焊盤間距大于100μm的情況。

楔形鍵合時(shí)，金絲通過劈刀背面的通孔，在熱、壓力或超聲波的作用下與焊盤金屬接觸形成連接。這是一種單向焊接工藝，第二焊點(diǎn)需與第一焊點(diǎn)同方向。

三、金絲鍵合質(zhì)量分析

1、金絲質(zhì)量要求

金絲純度需達(dá)到99.99%以上。

金絲尺寸需精確，表面需均勻且無污染。

金絲應(yīng)滿足標(biāo)準(zhǔn)的拉斷力和延展率要求。

2、金絲直徑的影響

不同集成電路對(duì)金絲直徑有不同要求。

本文實(shí)驗(yàn)以常用的25μm金絲為例進(jìn)行鍵合質(zhì)量分析。

3、工藝參數(shù)優(yōu)化

基于經(jīng)驗(yàn)確定工藝參數(shù)的范圍邊界，確保鍵合點(diǎn)完整且不壓斷金絲。

在參數(shù)邊界范圍內(nèi)均勻設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)參數(shù)組合，形成實(shí)驗(yàn)方案。

4、實(shí)驗(yàn)材料與方案

選取陶瓷和羅杰斯5880兩種基板板材。

芯片選用GaAs芯片。

使用進(jìn)口25μm金絲。

根據(jù)常用鍵合類型制定實(shí)驗(yàn)方案。

5、實(shí)驗(yàn)過程

每組工藝參數(shù)使用全新劈刀進(jìn)行鍵合。

鍵合后進(jìn)行拉力測(cè)試，以拉力值作為參考標(biāo)準(zhǔn)。

6、參數(shù)組合與測(cè)試

對(duì)每個(gè)方案設(shè)計(jì)12組參數(shù)組合。

每種組合鍵合10根金絲。

剔除因人為因素造成的不合格焊點(diǎn)，如尾絲過長(zhǎng)、焊點(diǎn)不完整、金絲拱弧過低等。

7、拉力測(cè)試與數(shù)據(jù)分析

1）檢測(cè)設(shè)備

Alpha-W260鍵合推拉力測(cè)試機(jī)

鍵合推拉力測(cè)試機(jī)是一種專用于微電子引線鍵合后焊接強(qiáng)度測(cè)試、焊點(diǎn)與基板粘接力測(cè)試及其失效分析的動(dòng)態(tài)測(cè)試儀器，具備高速力值采集系統(tǒng)，能夠根據(jù)測(cè)試需求更換相應(yīng)的測(cè)試模組，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)識(shí)別模組量程，實(shí)現(xiàn)不同產(chǎn)品的靈活測(cè)試。該設(shè)備每個(gè)工位都設(shè)有獨(dú)立安全高度位和安全限速，以防止誤操作損壞測(cè)試針頭，具有動(dòng)作迅速、準(zhǔn)確、適用面廣的優(yōu)勢(shì)。它廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體IC封裝、LED封裝、光電子器件封裝、PCBA電子組裝、汽車電子、航空航天 等領(lǐng)域，同時(shí)也適用于電子分析研究單位的失效分析以及院校的教學(xué)和研究。

2）檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

按照GJB548B-2005中方法2011.1進(jìn)行破壞性鍵合拉力實(shí)驗(yàn)。

3）檢測(cè)流程

a、實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備

校準(zhǔn)推拉力測(cè)試機(jī)，確保測(cè)試數(shù)據(jù)準(zhǔn)確可靠。

準(zhǔn)備測(cè)試記錄表，用于記錄測(cè)試數(shù)據(jù)和結(jié)果。

b、設(shè)備配置

根據(jù)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)或工藝要求，設(shè)定測(cè)試機(jī)參數(shù)，如測(cè)試速度和最大拉力。

調(diào)整夾具，保證金絲正確穩(wěn)固夾持，測(cè)試方向與金絲鍵合方向一致。

c、樣品安裝

將待測(cè)軟基板樣品固定在測(cè)試機(jī)工作臺(tái)上，確保樣品平整穩(wěn)定。

調(diào)整夾具使金絲居中，保證測(cè)試精確性。

d、實(shí)驗(yàn)操作

啟動(dòng)測(cè)試機(jī)，逐漸施加拉力，模擬金絲在實(shí)際使用中的受力情況。

觀察金絲在拉力作用下的形變和斷裂現(xiàn)象。

記錄金絲在不同拉力下的形變情況，直至斷裂或脫落。

e、數(shù)據(jù)記錄與分析

記錄金絲斷裂時(shí)的最大拉力值，評(píng)估金絲鍵合強(qiáng)度。

記錄金絲斷裂位置，識(shí)別金絲鍵合的弱點(diǎn)。

分析數(shù)據(jù)，確定金絲鍵合的可靠性，并提出改進(jìn)措施。

以上就是小編介紹的有關(guān)于微組裝技術(shù)中的金絲鍵合工藝可靠性分析相關(guān)內(nèi)容了，希望可以給大家?guī)韼椭∪绻€想了解更多關(guān)于推拉力測(cè)試機(jī)怎么使用和校準(zhǔn)，推拉力測(cè)試儀操作規(guī)范，焊接強(qiáng)度測(cè)試儀使用方法和鍵合拉力測(cè)試儀等問題，歡迎您關(guān)注我們，也可以給我們私信和留言，【科準(zhǔn)測(cè)控】小編將持續(xù)為大家分享推拉力測(cè)試機(jī)在鋰電池電阻、晶圓、硅晶片、IC半導(dǎo)體、BGA元件焊點(diǎn)、ALMP封裝、微電子封裝、LED封裝、TO封裝等領(lǐng)域應(yīng)用中可能遇到的問題及解決方案。