在現(xiàn)代電子制造領(lǐng)域，球柵陣列（BGA）封裝技術(shù)因其高密度、高性能和良好的散熱特性，被廣泛應(yīng)用于各種gao端電子產(chǎn)品中。BGA封裝器件的可靠性直接關(guān)系到整個(gè)電子系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行，而焊點(diǎn)作為連接芯片與基板的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)，其抗剪強(qiáng)度是衡量焊點(diǎn)可靠性的重要指標(biāo)之一。焊點(diǎn)抗剪強(qiáng)度的高低不僅影響著器件在組裝過程中的質(zhì)量，更決定了其在實(shí)際使用中能否承受各種機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力的考驗(yàn)。

本文科準(zhǔn)測(cè)控小編旨在系統(tǒng)地研究BGA封裝器件焊點(diǎn)抗剪強(qiáng)度測(cè)試的各個(gè)方面，包括測(cè)試設(shè)備的選擇與校準(zhǔn)、測(cè)試程序的優(yōu)化、數(shù)據(jù)處理與分析方法，以及失效判據(jù)的建立與應(yīng)用。

一、試驗(yàn)?zāi)康?/span>

通過破壞性剪切測(cè)試評(píng)估BGA封裝器件焊點(diǎn)的抗切能力，確保焊點(diǎn)在實(shí)際使用中的可靠性和穩(wěn)定性。

二、檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

如JEDEC標(biāo)準(zhǔn)JESD22-B117A和日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS Z 3198-5等

三、試驗(yàn)方法

1、檢測(cè)設(shè)備

a、設(shè)備要求：應(yīng)使用校準(zhǔn)的負(fù)載單元或傳感器。設(shè)備的最大負(fù)載能力應(yīng)不小于凸點(diǎn)最大剪切力的1.1倍。剪切工具的受力面寬度應(yīng)達(dá)到凸點(diǎn)直徑的1.1倍以上。設(shè)備應(yīng)能提供并記錄施加于凸點(diǎn)的剪切力，并能對(duì)負(fù)載提供規(guī)定的移動(dòng)速率。

b、推薦設(shè)備

Beta S100 推拉力測(cè)試機(jī)

C、設(shè)備特點(diǎn)

2、試驗(yàn)流程

步驟1、測(cè)試準(zhǔn)備

設(shè)備校準(zhǔn)：確保推拉力測(cè)試機(jī)已校準(zhǔn)，負(fù)載單元或傳感器的最大負(fù)載能力不小于凸點(diǎn)最大剪切力的1.1倍。

剪切工具準(zhǔn)備：選擇合適的剪切工具，受力面寬度應(yīng)達(dá)到凸點(diǎn)直徑的1.1倍以上，確保推拉力測(cè)試機(jī)能提供并記錄施加于凸點(diǎn)的剪切力，并能對(duì)負(fù)載提供規(guī)定的移動(dòng)速率。

步驟2、安裝剪切工具和試驗(yàn)樣品

安裝剪切工具：將剪切工具安裝在推拉力測(cè)試機(jī)上，確保剪切工具的受力面與芯片表面平行。

安放芯片：小心地將BGA封裝器件安放在測(cè)試平臺(tái)上，確保凸點(diǎn)不會(huì)受到損傷，且芯片不會(huì)變形。

調(diào)整位置：調(diào)整剪切工具的位置，使其能夠準(zhǔn)確地對(duì)準(zhǔn)受試凸點(diǎn)，確保剪切方向平行于芯片表面。

步驟3、檢查凸點(diǎn)

使用金相顯微鏡：在試驗(yàn)前，使用金相顯微鏡對(duì)凸點(diǎn)進(jìn)行檢查，確保凸點(diǎn)的形狀完好，無助焊劑殘留或其他污染物。

記錄初始狀態(tài)：記錄凸點(diǎn)的初始狀態(tài)，包括形狀、尺寸和表面狀況，以便與測(cè)試后的狀態(tài)進(jìn)行對(duì)比。

步驟4、移除鄰近凸點(diǎn)

評(píng)估設(shè)備限制：如果受推拉力測(cè)試機(jī)的限制，受試凸點(diǎn)鄰近的凸點(diǎn)（和在剪切工具行進(jìn)路徑上）可能需要先從樣品上移去。

移除凸點(diǎn)：小心地移除鄰近的凸點(diǎn)，確保不會(huì)對(duì)受試凸點(diǎn)造成損傷。

步驟5、設(shè)置剪切參數(shù)

剪切高度：設(shè)置剪切高度不低于凸點(diǎn)高度的10%。

剪切速度：設(shè)置剪切速度為0.1 mm/s到0.8 mm/s，確保剪切過程中保持恒定速率，直到剪切力下降到最大值的25%以下，或直到剪切工具的移動(dòng)距離超過凸點(diǎn)直徑。

步驟6、進(jìn)行剪切測(cè)試

啟動(dòng)設(shè)備：?jiǎn)?dòng)推拉力測(cè)試機(jī)，開始對(duì)凸點(diǎn)進(jìn)行剪切。

記錄數(shù)據(jù)：在剪切過程中，記錄凸點(diǎn)剪切力的最大值、最小值、平均值以及標(biāo)準(zhǔn)偏差。

觀察失效模式：觀察剪切過程中的失效模式，記錄失效界面（焊料/焊盤、焊盤/pcb基板、元器件端子/焊料）。

步驟7、數(shù)據(jù)分析

計(jì)算最小剪切力：根據(jù)公式“最小凸點(diǎn)剪切力值=焊盤面積×凸點(diǎn)焊料抗剪切強(qiáng)度"計(jì)算最小剪切力。

建立失效判據(jù)：完成足夠的數(shù)據(jù)測(cè)量后，建立有代表性的基于平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差的失效判據(jù)。

評(píng)估失效模式：根據(jù)記錄的失效模式，判斷凸點(diǎn)的失效是否為合格失效模式（模式1和2）或不合格失效模式（模式3和4）。

步驟8、測(cè)試報(bào)告

整理數(shù)據(jù)：整理測(cè)試數(shù)據(jù)，包括凸點(diǎn)剪切力的最大值、最小值、平均值、標(biāo)準(zhǔn)偏差以及失效模式。

編寫報(bào)告：編寫測(cè)試報(bào)告，詳細(xì)記錄測(cè)試過程、測(cè)試結(jié)果和分析結(jié)論。

提交報(bào)告：將測(cè)試報(bào)告提交給相關(guān)部門或客戶，以便進(jìn)一步分析和決策。

四、實(shí)際應(yīng)用中的注意事項(xiàng)

剪切高度：?jiǎn)伟褰Y(jié)構(gòu)焊點(diǎn)剪切高度為20 μm，板級(jí)結(jié)構(gòu)焊點(diǎn)剪切高度為2.45 mm。

剪切速率：一般為0.5 mm/s。

回流溫度影響：回流溫度對(duì)焊點(diǎn)的抗剪強(qiáng)度有顯著影響。在單板結(jié)構(gòu)中，高銀焊點(diǎn)的抗剪強(qiáng)度最高且一直增加，低銀焊點(diǎn)呈現(xiàn)出先增加后降低的趨勢(shì)。在板級(jí)結(jié)構(gòu)中，焊點(diǎn)的抗剪強(qiáng)度均隨回流溫度的升高呈現(xiàn)出先增加后降低的趨勢(shì)，其中添加稀土元素的低銀焊點(diǎn)的抗剪強(qiáng)度最高。

以上就是小編介紹的有關(guān)于BGA封裝器件焊點(diǎn)抗剪強(qiáng)度測(cè)試相關(guān)內(nèi)容了，希望可以給大家?guī)韼椭∪绻€想了解更多關(guān)于焊點(diǎn)抗剪力、bag焊點(diǎn)檢測(cè)、焊點(diǎn)抗拉強(qiáng)度和抗剪切強(qiáng)度，推拉力測(cè)試機(jī)原理、怎么使用和使用方法視頻，推拉力測(cè)試儀操作規(guī)范 、使用方法、測(cè)試視頻和原理，焊接強(qiáng)度測(cè)試儀使用方法等問題，歡迎您關(guān)注我們，也可以給我們私信和留言，【科準(zhǔn)測(cè)控】小編將持續(xù)為大家分享推拉力測(cè)試機(jī)在鋰電池電阻、晶圓、硅晶片、IC半導(dǎo)體、BGA元件焊點(diǎn)、ALMP封裝、微電子封裝、LED封裝、TO封裝等領(lǐng)域應(yīng)用中可能遇到的問題及解決方案。